Los chips flash 3D NAND de Samsung están listos para la producción en masa
Samsung está listo para producir en masa los primeros chips flash 3D NAND de alta capacidad, dando a las tabletas y teléfonos inteligentes un impulso de memoria.
La empresa ha superado las actuales limitaciones de escalado de NAND flash con una nueva estructura de celdas que ofrece hasta diez veces más confiabilidad y el doble de rendimiento de escritura que los chips NAND flash convencionales de clase 10nm. La nueva tecnología comprime 128 GB de capacidad en un solo chip.
La nueva estructura 3D implica apilar y conectar capas de celdas verticalmente, mejorando la escalabilidad. Anteriormente, los chips se basaban en una estructura 2D o plana que solo se escalaba a expensas del rendimiento.
“Con la nueva estructura vertical, Samsung puede habilitar productos de memoria flash NAND de mayor densidad al aumentar las capas de celdas 3D sin tener que continuar con el escalado plano, lo que se ha vuelto increíblemente difícil de lograr”, dijo la compañía.
Samsung dijo que se necesitaron diez años de investigación para descifrar la nueva estructura. Y mientras que otros fabricantes como Toshiba han estado trabajando en la tecnología flash 3D NAND, se pensó que la producción en masa no sería posible hasta 2015.
La noticia llega cuando la startup estadounidense Crossbar lanzó su tecnología RRAM como una alternativa al flash NAND, produciendo un prototipo de chip que comprime 1 TB en un solo chip. Aunque es un avance considerable con respecto a la tecnología de Samsung, el sistema de Crossbar aún no se produce en masa.